檢索結果：共5筆資料 檢索策略： "Jung-Chieh Su".ecommittee (精準) and year="105"
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本論文旨在改善先前製作的遠紅外線熱輻射發光元件的效能，採用類似的設計概念，但改變部分元件結構，分別利用0.18-μm標準CMOS製程與優化微機電製程，藉此得到較高的發光功率與波長的選擇性。 利用標準…
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本論文使用商用氮化鎵發光二極體晶圓，晶圓編號為ELV(紫光)與FEB(藍光)，在這兩片晶圓上製作出p-i-n光偵測器與發光二極體(LED)。兩種元件設計的差異主要是p型歐姆接觸金屬ITO面積的範圍，…
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本論文使用學長製作出的氮化鎵光電晶體光偵測器，量測出其暗電流(Dark current)、外部量子效應(EQE)、計算出響應率、響應時間、響應的雜訊以及不同光強度下的電壓訊號。量測的元件為n-p-i…
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本論文我們製作了近紫外光p-i-n偵測器與異質接面光電晶體(Heterojunction phototransistors, HPTs)。兩種光偵測器都是設計了兩種形狀，有方型與長型。異質接面光電晶…
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本論文利用氧氣吸附於石墨烯表面造成其內部之載子濃度改變來獲得p型半導體特性的石墨烯。實驗中，利用熱化學氣相沉積法製作石墨烯，並利用氮電漿對石墨稀進行摻雜，以C-N的鍵結讓石墨烯的半導體特性由p型轉變…